5月9日消息，據Anandtech報道
商城網站制作，在美國當地時間8日舉行的英特爾投資者日上，該公司首席執行官鮑勃•斯旺（Bob Swan）和總裁穆爾西•蘭德奇塔拉(Murthy Renduchintala)談到了英特爾的芯片開發路線圖。
英特爾歷來在執行其工藝技術方面能力超強，但其推出10nm制程工藝數次延遲顯然引發了許多質疑，而且這種情況已經持續了數年。兩位英特爾高管詳細介紹了英特爾在此期間所做的事情，以及其從這些事件中吸取了哪些教訓。
英特爾解釋10nm芯片為何跳票
早在2013年，英特爾就設想通過提供2.7倍密度的自對準四軸圖形(SAQP)、有源柵極上接觸(COAG)、Cobolt互連以及EMIB和Foveros等新封裝技術，利用10nm芯片取代14nm芯片。
英特爾承認
營銷網站設計制作，這是個雄心勃勃的計劃，但由于該公司沒有與相關團隊明確界定目標，導致該計劃最終變得過于復雜
智多鑫，且沒有以理想的方式加以管理。
這最終致使10nm工藝的推出被延遲。在這種情況下，英特爾將10nm制程工藝推持到2019年，并以14+和14++填補了空白。
自該計劃實施以來，英特爾的14+和14++工藝已經獲得了超過20%的性能提升。因此，英特爾不僅為將來的節點內優化做好了準備，而且實際上還調整了路線圖來完善它。
蘭德奇塔拉明確表示，英特爾希望在新工藝開始時引入類似摩爾定律式的增益，并在該工藝結束時引入另一種類似的增益。
英特爾表示，其10nm產品系列將從今年年中開始上市，客戶端平臺(筆記本電腦)將配置Ice Lake。
英特爾將在2019年和2020年推出多種10nm產品，包括在2020年上半年推出基于10nm的服務器。
此外，英特爾表示將在2021年生產并推出一款7nm產品。
對于一家開發10nm工藝都存在問題的公司來說，這個時間表聽起來顯得十分激進。在英特爾路線圖中，10nm(以及10+和10++)的生命周期比14nm系列短得多。
考慮到這一點，英特爾的7nm產品將成為該公司從14nm和10nm系列產品中吸取教訓的結合體。英特爾希望實現2倍擴展(摩爾定律)，但是計劃將節點內優化作為路線圖的一部分。
英特爾也在減少其設計規則的數量，這應該有助于執行新的路線圖計劃。7nm也將是英特爾與EUV交叉的領域，并將引入下一代Foveros和EMIB封裝技術。
英特爾還展示了以個人電腦為中心的單片芯片和基于Foveros和EMIB的多模數據中心芯片。英特爾芯片和封裝團隊表示，我們將看到Foveros和EMIB出現在新產品上，特別是GPU。
英特爾宣布其領先的7nm產品將是基于Xe圖形架構的新GPGPU。該公司表示，其Xe產品將有兩個不同的微體系結構（從移動端GPGPU），其中一個架構稱為北極聲音（Arctic Sound）。
英特爾將在2020年發布首個分離式GPU技術，然而7nm GPGPU將等到2021年推出。，
英特爾解釋10nm芯片為何跳票
關注公眾號 
進入手機版 
點擊咨詢
4006-234-116
返回頂部